高効率の二流体ノズル気化器構造を採用し気化室を拡大、気化出口を改良する事で未気化排出を抑えた最新モデル。
VU-450より気化室容積を大型にする事で対流時間と熱交換面積を改善。大流量気化を実現。
Gas Outlet までの距離を長くすることにより、ミスト(未気化)の排出を抑制。
Low-k、High-k、各種メタルなど、低蒸気圧、大流量の気化供給に最適。
バルブ一体型気化器の為、LM-3000Lと組み合わせる事で気化器直近で液体流量制御。応答性の高い気化流量制御が可能。
特長
- 高効率気化
- メンテナンス性
- バルブ近接
- 出口加熱距離アップ
使用例
半導体材料の気化供給CVD、ALD
気化室を大きくする事で、中心の二流体ノズルから噴霧されたミストはVU-450よりも拡散。ヒータWをアップしてTEOSで30g/min、H2Oで5g/minの大流量気化が安定的に可能です。
仕様表
最高温度 | キャリアガス流量 | H2O気化量 | TEOS気化量 | シール材 |
200℃ | 0.8~130SLM | 5g/min | 30g/min | Au カルレッツ |