半導体業界でTEOSの安定的な連続気化供給システムが求められた1990年代、リンテックは気化器と液体マスフローを使った直接気化方式を世界に先駆けて開発しました。
液体気化技術の基本原理
物質の状態は固体、液体、気体の三態で、温度と圧力によって変化します。
- 温度のアプローチ:ガスMFCベーキング方式、ノンキャリア気化器
- 温度と圧力のアプローチ:気化器直接気化方式、バブリング方式
- 圧力のアプローチ:低差圧MFC(MC-3000S)
蒸気圧と気化濃度
ガス濃度の計算は「分圧÷全圧×100=ガス濃度(%)」です。
液化ガスの分圧は蒸気圧曲線を超える事は出来ません。
蒸気圧曲線
物質の状態は温度と圧力に依存します。温度が高いと液体が気体に変化(気化)する力(蒸気圧)は上昇し、温度が低いと蒸気圧は低下します。この温度と蒸気圧の最大量のを表した物が蒸気圧曲線です。
気化技術ご紹介
気化器直接気化方式
液体用マスフローメータで液相の質量を測定、後段の気化器で全量気化させる方式です。TEOSを始め、CVD工程で使われます。
ベーキング方式
液体を加熱し、蒸発した気体を高温ガスマスフローコントローラで制御する方式です。光ファイバの製造工程などで使われています。
バブリング方式
液体容器にキャリアガスを通すことでキャリアガスに気化ガスを溶け込ませる方式です。主にMOCVDで使われています。
液体気化原料実績
元素 | 名称 | 略称 | 化学式 | CAS No. |
Al | トリメチルアルミニウム | TMA | Al(CH3)3 | 75-24-1 |
トリエチルアルミニウム | TEA | Al(C2H5)3 | 97-93-8 | |
トリス(1-メトキシ-2-メチル-2-プロポキシ)アルミニウム | Al(MMP)3 | Al[CH3OCH2C(CH3)2O]3 | 478695-89-5 | |
ジメチルアルミニウムハイドライド | DMAH | H(CH3)2Al | 885-37-2 | |
トリブトキシアルミニウム | ASBO | Al[OCH(CH3)CH2CH3]3 | 2269-22-9 | |
B | トリエチルボロン | TEB | B(OC2H5)3 | 150-46-9 |
トリメチルボロン | TMB | B(OCH3)3 | 121-43-7 | |
トリスジメチルアミノボロン | TMAB | B[N(CH3)2]3 | 4375-83-1 | |
Ba | ビスジピバロイルメタナートバリウム | Ba(DPM)2 | Ba(C11H19O2)2 | 17594-47-7 |
Bi | トリメチルビスマス | Bi(CH3)3 | 593-91-9 | |
Ce | テトラキステトラメチルペプタンジオナートセリウム | Ce(DPM)4 | Ce(C11H19O2)4 | 18960-54-8 |
Cl | 四塩化炭素 | CCl4 | 56-23-5 | |
1,1,2-トリクロロエタン | C2H3Cl3 | 79-00-5 | ||
テトラクロロエチレン | C2Cl4 | 127-18-4 | ||
Co | コバルトアルキルアミジネイト | Co AMD | ||
Cu | ビスジピバロイルメタナート銅 | Cu(DPM)3 | Cu(C11H19O2)2 | 14040-05-2 |
ヘキサフルオロアセチルアセトナトトリメチルビニルシリル銅 | Cu(hfac)(TMVS) | C10H13CuF6O2 Si | 139566-53-3 | |
ビスエチルジメチルデカンジオナート銅 | Cu(EDMDD)2 | Cu[(CH3)3CC(O)CHC(O)CH(C2H5)C4H9] | ||
Ga | トリエチルガリウム | TEG | (C2H5)3Ga | 1115-99-7 |
トリメチルガリウム | TMG | (CH3)3Ga | 1445-79-0 | |
Ge | テトラエトキシゲルマン | Ge(OC2H5)4 | 14165-55-0 | |
テトラメトキシゲルマン | C4H12GeO4 | 992-91-6 | ||
Hf | テトラキスジメチルアミノハフニウム | TDMAH | Hf[N(CH3)2]4 | 19782-68-4 |
テトラキスエチルメチルアミノハフニウム | TEMAH | Hf[N(C2H5)CH3]4 | 352535-01-4 | |
テトラキスジエチルアミノハフニウム | TDEAH | Hf[N(C2H5)2]4 | 19824-55-6 | |
テトラブトキシハフニウム | HTB | Hf(OtC4H9)4 | 2172-02-3 | |
I | 五フッ化ヨウ素 | IF5 | 7783-66-6 | |
In | インジウムアセチルアセトナート | In(acac)3 | In(C5H7O2)3 | 14405-45-9 |
トリメチルインジウム | TMI | (CH3)3In | 3385-78-2 | |
トリエチルインジウム | TEI | In(C2H5)3 | 923-34-2 | |
La | テトラメチルオクタンジオンランタン | La(TMOD)3 | ||
Nb | ペンタエトキシニオブ | PEN | Nb(OCH2CH3)5 | 3236-82-6 |
Ni | ニッケルアルキルアミジネイト | Ni AMD | ||
P | トリメチルホスフィン | TMOP | PO(OCH3)3 | 512-56-1 |
トリエチルホスフィン | TEPO | PO(OC2H5)3 | 78-40-0 | |
亜リン酸トリメチル | TMP | P(CH3O)3 | 121-45-9 | |
Pb | ビスジピバロイルメタナート鉛 | Pb(DPM)2 | Pb(C11H19O2)2 | 21319-43-7 |
ビステトラメチルヘプタンジオナート鉛 | Pb(thd)2 | |||
テトラメチルオクタンジオン鉛 | Pb(TMOD)2 | |||
Pr | トリスエチルシクロペンタジエニルプラセオジム | Pr(EtCp)3 | Pr(C5H4C2H5)3 | 108-88-3 |
トリステトラメチルヘプタンジオナトプラセオジム | Pr(DPM)3 | Pr(C11H19O2)3 | 15492-48-5 | |
Pt | トリメチルメチルシクロペンタジエニルプラチニウム | C9H16Pt | 94442-22-5 | |
Ru | ビスエチルシクロペンタジエニルルテニウム | Ru(EtCp)2 | Ru(C2H5C5H4)2 | 32992-96-4 |
ジメチルペンタジエニルエチルシクロペンタジエニルルテニウム | DER | Ru(C7H9)(C7H11) | 501652-75-1 | |
Si | テトラエトキシシラン | TEOS | Si(OC2H5)4 | 78-10-4 |
四塩化珪素 | SiCl4 | 10026-04-7 | ||
トリクロロシラン | TCS | SiHCl3 | 10025-78-2 | |
テトラメトキシシラン | TMOS | Si(OCH3)4 | 681-84-5 | |
ヘキサメチルジシラザン | HMDS | C6H19NSi2 | 999-97-3 | |
ヘキサメチルジシロキサン | HMDSO | C6H18OSi2 | 107-46-0 | |
ビスターシャルブチルアミノシラン | BTBAS | [(CH3)3CNH]2SiH2 | 186598-40-3 | |
ジイソブチルジメトキシシラン | DIBDMS | C10H24O2Si | 17980-32-4 | |
テトラメチルシラン | TMS | Si(CH3)4 | 75-76-3 | |
メチルジエトキシシラン | DEMS | C5H14O2Si | 2031-62-1 | |
トリメチルシラン | C3H10Si | 993-07-7 | ||
メチルトリクロロシラン | CH3Cl3Si | 75-79-6 | ||
オクタメチルシクロテトラシロキサン | OMCTS、D4 | C8H24O4Si4 | 556-67-2 | |
テトラメチルシクロテトラシロキサン | TMCTS | C4H16O4Si4 | 2370-88-9 | |
トリスジメチルアミノシラン | TDMAS | SiH[N(CH3)2]3 | 15112-89-7 | |
テトラメチルジシラザン | TMDS | C4H15NSi2 | 15933-59-2 | |
トリメトキシシラン | C3H10O3Si | 2487-90-3 | ||
テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン | [(CH2=CH)(CH3)SiO]4 | 2554-06-5 | ||
ジメトキシメチルビニルシラン | VMDS | C5H12O2Si | 16753-62-1 | |
ジメチルジエトキシシラン | DMDES | (CH3)2Si(OC2H5)2 | 78-62-6 | |
ジメチルフェニルシラン | DMPS | C8H12Si | 766-77-8 | |
メチルトリメトキシシシラン | (CH3)Si(OCH3)3 | 1185-55-3 | ||
へプタデカフルオロデシルトリイソプロポキシシラン | C13H13F17O3Si | 83048-65-1 | ||
オクチルトリエトキシシラン | C14H32O3Si | 2943-75-1 | ||
Sn | 四塩化スズ | SnCl4 | 7646-78-8 | |
テトラブチルスズ | [CH3(CH2)3]4Sn | 1461-25-2 | ||
ジブチルスズビスアセチルアセトナート | Sn(C9H16O2)2 | 22673-19-4 | ||
Sr | ビスジピバロイルメタナートストロンチウム | Sr(DPM)2 | Sr(C10H10F7O2)2 | 36885-30-0 |
メトキシエトキシテトラメチルヘプタンジオネートストロンチウム | 280572-89-6 | |||
Ta | ペンタエトキシタンタル | PET | Ta(OC2H5)5 | 6074-84-6 |
ターシャリブチルイミノトリス(エチルメチルアミノ)タンタル | TBTEMT | Ta(NtC4H9)[N(C2H5)CH3]3 | 511292-99-2 | |
ターシャリブチルイミノトリスジエチルアミノタンタル | TBTDET | T-BuN=Ta(NEt2)3 | 169896-41-7 | |
ターシャリアミルイミドトリスジメチルアミノタンタル | Taimata | Ta[NC(CH3)2C2H5][N(CH3)2]3 | 440081-38-9 | |
ペンタキスジメチルアミノタンタル | PDMAT | C10H30N5Ta | ||
Ti | 四塩化チタン | TiCl4 | 7550-45-0 | |
テトライソプロポキシチタン | TTIP | Ti(i-OC3H7)4 | 546-68-9 | |
テトラキスジエチルアミノチタン | TDEAT | Ti[N(C2H5)2]4 | 4419-47-0 | |
テトラキスエチルメチルアミノチタン | TEMAT | Ti[N(CH3)C2H5]4 | 308103-54-0 | |
テトラキスジメチルアミノチタン | TDMAT | Ti[N(CH3)2]4 | 3275-24-9 | |
ジイソプロポキシジピバロイルメタナートチタン | Ti(iPrO)2(DPM)2 | Ti(C11H19O2)2(O-i-C3H7)2 | 144665-26-9 | |
テトラキスメトキシメチルプロポキシチタン | Ti(MMP)4 | |||
V | 塩化バナジウム | VCl4 | 7632-51-1 | |
テトラキスエチルメチルアミノバナジウム | V(NEtMe)4 | |||
Y | トリスジピバロイルメタナートイットリウム | Y(DPM)3 | Y(C11H19O2)3 | 15632-39-0 |
Zn | ジエチル亜鉛 | DEZ | (C2H5)2Zn | 557-20-0 |
ビスオクタンジオナト亜鉛 | Zn(OD)2 | [CH3COCHCO(CH2)3CH3]2Zn | ||
Zr | テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム | TEMAZ | Zr[N(CH3)CH2CH3]4 | 175923-04-3 |
テトラキスジエチルアミノジルコニウム | TDEAZ | Zr[N(C2H5)2]4 | 13801-49-5 | |
テトラターシャリブトキシジルコニウム | Zr(t-Obu)4 | Zr[OC(CH3)]4 | 2081-12-1 | |
トリスジメチルアミノシクロペンタジエニルジルコニウム | (C5H5)Zr[N(CH3)2]3 | 33271-88-4 | ||
テトラキスジメチルヘプタジオナートジルコニウム | Zr(dmhd)4 | Zr(C18H30O4)2 | 69990-43-8 | |
テトラキステトラメチルヘプタンジオナートジルコニウム | Zr(DPM)4 | Zr(C11H19O2)4 | 18865-74-2 | |
テトラメチルオクタンジオンジルコニウム | Zr(TMOD)4 | |||
テトラキスメトキシメチルプロポキシジルコニウム | Zr(MMP)4 |